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LEE1015T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

LEE1015T
厂商型号

LEE1015T

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

47.1 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-7-16 15:16:00

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LEE1015T规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT122A metal ceramic package.

FEATURES

• Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

• Interdigitated structure provides high emitter efficiency

• Gold metallization realizes very good stability of the characteristics and excellent lifetime

• Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance.

APPLICATIONS

Intended for use in common emitter, class A power amplifiers for applications that require a high level of linearity.

产品属性

  • 型号:

    LEE1015T

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 22V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-122

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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三年内
1983
只做原装正品
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2023+
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23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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原装正品
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24+
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