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LMS1902	文件：475.45 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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MC1902	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MDD1902RH	文件：353 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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