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LMS1902	文件：475.45 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MAX1902	文件：649.9 Kbytes Page：33 Pages	500kHzMulti-Output,Low-NoisePower-SupplyControllersforNotebookComputers GeneralDescription TheMAX1901/MAX1902/MAX1904arebuck-topology,step-down,switch-mode,power-supplycontrollersthatgeneratelogic-supplyvoltagesinbattery-poweredsystems.Thesehigh-performance,dual/triple-outputdevicesincludeon-boardpower-upsequencing,power-goodsignalingwith	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX1902EAI	文件：649.9 Kbytes Page：33 Pages	500kHzMulti-Output,Low-NoisePower-SupplyControllersforNotebookComputers GeneralDescription TheMAX1901/MAX1902/MAX1904arebuck-topology,step-down,switch-mode,power-supplycontrollersthatgeneratelogic-supplyvoltagesinbattery-poweredsystems.Thesehigh-performance,dual/triple-outputdevicesincludeon-boardpower-upsequencing,power-goodsignalingwith	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX1902ETJ	文件：649.9 Kbytes Page：33 Pages	500kHzMulti-Output,Low-NoisePower-SupplyControllersforNotebookComputers GeneralDescription TheMAX1901/MAX1902/MAX1904arebuck-topology,step-down,switch-mode,power-supplycontrollersthatgeneratelogic-supplyvoltagesinbattery-poweredsystems.Thesehigh-performance,dual/triple-outputdevicesincludeon-boardpower-upsequencing,power-goodsignalingwith	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MC1902	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MDD1902	文件：904.88 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,40A,28m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD1902RH	文件：353 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDD1902RH	文件：904.88 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,40A,28m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD1902RH	文件：1.02218 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MGF1902B	文件：210.25 Kbytes Page：5 Pages	TAPECARRIERLOWNOISEGaAsFET??? DESCRIPTION TheMGF1902BisalownoiseGaAsFETwithanN-channelSchottkygate,whichisdesignedforuseinStoXbandamplifiersandoscillators.Thehermeticallysealedmetalceramicpackageassuresminimumparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. FEATURE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

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