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LCE01H10D	文件：867.8 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01H10D；Package：TO-263-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：867.8 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE01H10	文件：383.64 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：383.64 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01H10D	文件：654.54 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =100A RDS(ON) 文件：654.54 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCMX02-1200HC-4TG100C	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP100	LATTICE 莱迪思上传：深圳市赛特兴科技有限公司	LATTICE
LCMX02-1200HC-4TG100I	文件：0 bytes Page：0 Pages	TQFP100	LATTICE 莱迪思上传：深圳市赛特兴科技有限公司	LATTICE

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