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LCE01H10D

丝印:NCE01H10D;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:867.8 Kbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

NCE01H10

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:383.64 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE01H10D

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01H10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

文件:654.54 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

LCMX02-1200HC-4TG100C

QFP100

Lattice

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上传:深圳市赛特兴科技有限公司

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上传:深圳市赛特兴科技有限公司

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更多LCE01H10D供应商 更新时间2025-12-11 10:01:00