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LC35256A	文件：181.59 Kbytes Page：8 Pages	256K(32768wordsX8bits)SRAMwithOEandCEcontrolPins 256K(32768wordsx8bits)SRAMwithOEandCEControlPins	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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LC35256DM	文件：108.57 Kbytes Page：8 Pages	DualControlPins:OEandCE256K(32768-wordX8-bit)SRAM Overview TheLC35256D,LC35256DM,andLC35256DTare32768-word×8-bitasynchronoussilicongateCMOSstaticRAMs.Thesedevicesusea6-transistorfullCMOSmemorycell,andfeaturelow-voltageoperation,lowcurrentdrain,andanultralowstandbycurrent. Features •Supplyvoltagerange:2.7	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC35256FM	文件：49.68 Kbytes Page：7 Pages	256K(32768words8bits)SRAMControlPins:OEandCE Overview TheLC35256FMandLC35256FTareasynchronoussilicon-gateCMOSSRAMswitha32K-wordby8-bitstructure.Thesearefull-CMOSdeviceswith6transistorspermemorycell,andfeaturelow-voltageoperation,alowoperatingcurrentdrain,andanultralowstandbycurrent.Controlinputsinc	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC35256FM	文件：60.19 Kbytes Page：7 Pages	256K(32768wordsX8bits)SRAMControlPins:OEandCE Overview TheLC35256FMandLC35256FTareasynchronoussilicon-gateCMOSSRAMswitha32K-wordby8-bitstructure.Thesearefull-CMOSdeviceswith6transistorspermemorycell,andfeaturelow-voltageoperation,alowoperatingcurrentdrain,andanultralowstandbycurrent.Controlinputsinc	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC35256FT	文件：60.19 Kbytes Page：7 Pages	256K(32768wordsX8bits)SRAMControlPins:OEandCE Overview TheLC35256FMandLC35256FTareasynchronoussilicon-gateCMOSSRAMswitha32K-wordby8-bitstructure.Thesearefull-CMOSdeviceswith6transistorspermemorycell,andfeaturelow-voltageoperation,alowoperatingcurrentdrain,andanultralowstandbycurrent.Controlinputsinc	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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TSOP35256	文件：323.75 Kbytes Page：12 Pages	IRReceiverModulesforRemoteControlSystems	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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