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L6399D	文件：345.39 Kbytes Page：18 Pages	High voltage high and low-side driver Features  High voltage rail up to 600 V  dV/dt immunity ± 50 V/ns over full temperature range  Driver current capability: – 290 mA source – 430 mA sink  Switching times 75/35 ns rise/fall with 1 nF load  3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis  Integrated bootstrap diode  Inter 文件：345.39 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6399DTR	文件：345.39 Kbytes Page：18 Pages	High voltage high and low-side driver Features  High voltage rail up to 600 V  dV/dt immunity ± 50 V/ns over full temperature range  Driver current capability: – 290 mA source – 430 mA sink  Switching times 75/35 ns rise/fall with 1 nF load  3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis  Integrated bootstrap diode  Inter 文件：345.39 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6399D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6399DTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
L6399D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1.1V，1.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，430mA
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
75ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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