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NCE4953A	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4953A	文件：369.9 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NK4953A	文件：1.05878 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE4953	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	SurgeClamping,TransientOvervoltageSuppressorBidirectional Description: TheNTE4900seriesofsiliconTransientSuppressorsdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsfromhighenergyvoltagetransients.Transientovervoltagesuppressordeviceshavebecomeveryimportantasaconsequenceoftheirhighsurgecapability,extremelyfastresponsetime	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
PE4953	文件：340.21 Kbytes Page：2 Pages	RFConnectorsTechnicalDataSheet	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
RCR4953SQ	文件：1.05501 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RM4953	文件：205.33 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
RSM4953BDY	文件：1.05503 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RT4953	文件：1.055 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RU4953BH	文件：394.15 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU4953H	文件：393.54 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
S4953	文件：250.86 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRITRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
SDM4953	文件：358.43 Kbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features SurfaceMountPackage. SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). Ruggedandreliable.	Samhop 三合微科	Samhop
SDM4953	文件：1.055 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDM4953A	文件：1.05851 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI4953ADY	文件：1.5212 Mbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI4953ADY	文件：208.13 Kbytes Page：4 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI4953ADY	文件：65.47 Kbytes Page：4 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI4953ADY	文件：109.47 Kbytes Page：5 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI4953ADY-HF	文件：1.52601 Mbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
L4953G
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 特殊用途稳压器
包装：
卷带（TR）
应用：
转换器，汽车音响系统
电压 - 输入：
11V ~ 18V
电压 - 输出：
5V，9.2V，16V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
Multiwatt-15（垂直，弯曲和错列引线）
供应商器件封装：
15-Multiwatt
描述：
IC REG CONV CAR AUD 15MULTIWATT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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