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NVD4808N	文件：260.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=63A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD4808N	文件：167.31 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30V,63A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK MOSFET–Power,Single,N-Channel,DPAK/IPAK30V,63A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandContr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PE4808	文件：252 Kbytes Page：2 Pages	D-SubPlugContactCrimp/SolderAttachmentForRG58,RG141,RG303	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PT4808T	文件：1.14199 Mbytes Page：1 Pages	PTseriesflattypeisolationtransformer	YHDCBeijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd. 德昌电气设备德昌电气设备有限公司	YHDC
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