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L2801	文件：42.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR 15.0WattsSingleEndedPackageStyleS02 HIGHEFFICIENCY,LINEAR HIGHGAIN,LOWNOISE GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM	Polyfet POLYFET
L2801_14	文件：61.37 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER LDMOS TRANSISTOR	Polyfet POLYFET
2801	文件：371.41 Kbytes Page：2 Pages	42MHzsurfacemountbandpassfilter GeneralDescription KR2801isa42MHzsurfacemountbandpassfilter.Thefilterhasaminimum3dBbandwidthof4MHz.Otherpassbandfrequenciesareavailable.Pleaseconsultthefactory. Features •42MHzCenterFrequency •SurfaceMountPackage •50ΩSourceandLoad	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2801P-R-ST	文件：103.9 Kbytes Page：2 Pages	MultimodeCATVTransport	EMCORE Emcore Corporation
2801P-R-ST	文件：159.88 Kbytes Page：2 Pages	2801PRO5ChannelMultimodeCATVVSB/AMVideoLink	EMCORE Emcore Corporation
2801P-R-ST	文件：235.12 Kbytes Page：2 Pages	MultimodeCATVVSB/AM	EMCORE Emcore Corporation
2801-SMA	文件：63.72 Kbytes Page：2 Pages	42MHzCenterFrequency	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
AAT2801	文件：747.28 Kbytes Page：20 Pages	Multi-ModeChargePumpforWhiteLEDBacklightandFlashApplications	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司
ACT2801	文件：2.43542 Mbytes Page：25 Pages	5V/1.5ABackupBatteryPackManager	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
ACT2801	文件：614.48 Kbytes Page：23 Pages	5V/1.5ABackupBatteryPackManager	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
ACT2801CQL-T	文件：614.48 Kbytes Page：23 Pages	5V/1.5ABackupBatteryPackManager	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.
AON2801	文件：176.93 Kbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON2801/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. AON2801andAON2801Lareelectricallyidentical. -RoHSCompli	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
APM2801B	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2801BC-TR	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2801BC-TRL	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2801BC-TU	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM2801BC-TUL	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
ASIKV2801	文件：16.97 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGVARACTOR	ASI Advanced Semiconductor, Inc
BGA2801	文件：552.63 Kbytes Page：18 Pages	MMICwidebandamplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BGA2801	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市向鸿伟业电子有限公司	L2801	POLYFET	16+	S02	3128	只有原装!只做原装!一片起卖!	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	L2801		2017+	SMD	1585	只做原装正品假一赔十!	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	L2801	POLYFET	2018+	SMD	5500	长期供应原装现货实单可谈	询价
深圳市昊创电子有限公司	L2801	POLYFET	18+	S02	3128	原装进口假一罚十	询价
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更多L2801供应商更新时间2024-4-27 16:12:00

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