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MASWSS0117TR	文件：128.81 Kbytes Page：3 Pages	GaAsSPDT2.7VHighPowerSwitchDC-3.0GHz Description M/A-COM’sMASWSS0117isaGaAsPHEMTMMICsinglepoledoublethrow(SPDT)highpowerswitchinalowcostSC706-leadpackage.TheMASWSS0117isideallysuitedforapplicationswherehighpower,lowcontrolvoltage,lowinsertionloss,highisolation,smallsizeandlowcostarerequi	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MASWSS0117TR	文件：82.77 Kbytes Page：3 Pages	GaAsSPDT2.7VHighPowerSwitchDC-3.0GHz Description TheMASWSS0117isaGaAspHEMTMMICsinglepoledoublethrow(SPDT)highpowerswitchinalowcostSC706-leadpackage.TheMASWSS0117isideallysuitedforapplicationswherehighpower,lowcontrolvoltage,lowinsertionloss,highisolation,smallsizeandlowcostarerequired.	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MASWSS0117TR	文件：143.4 Kbytes Page：3 Pages	GaAsSPDT2.7VHighPowerSwitch Description TheMASWSS0117isaGaAspHEMTMMICsinglepoledoublethrow(SPDT)highpowerswitchinalowcostSC706-leadpackage.TheMASWSS0117isideallysuitedforapplicationswherehighpower,lowcontrolvoltage,lowinsertionloss,highisolation,smallsizeandlowcostarerequired.	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
NCE0117	文件：382.13 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0117	文件：937.36 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE0117	文件：681.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0117Iusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=17A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0117AK	文件：658.19 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0117AKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=17A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0117I	文件：681.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0117Iusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=17A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0117K	文件：460.59 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RC0117B	文件：155.94 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	KVM-0407	LVL1	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
北京光敏源科技有限公司	KV-M1G	基恩士KEYENCE	2022+	电源模块	8000	只做原装，可提供样品	询价
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深圳市近平电子有限公司	KVME434MR00BH		6000	面议	19	DIP/SMD	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	KVM-M-R0001-5.0	ISA	SMD3516	22+	56000	全新原装进口,假一罚十	询价
深圳市铭威达电子科技有限公司	KVMZUS4V-2FBVB900E				5053	原装现货	询价
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深圳市源铭芯科技有限公司	KVMZUS4V-2FBVB900E	xilinx	23+	BGA900	8000	全新原装	询价

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