KST5551数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
KST5551 |
| 参数属性 | KST5551 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 |
| 功能描述 | KST5551: NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 9:51:00 |
| 人工找货 | KST5551价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
KST5551规格书详情
描述 Description
KST5551
特性 Features
集电极-发射极电压： VCEO= 160V
集电极损耗： PC（最大值）= 350mW 放大器晶体管
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KST5551属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KST5551晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：KST5551
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
：
- Type
：
- VCE(sat) Max (V)
：
- IC Cont. (A)
：
- VCEO Min (V)
：
- hFE Min
：
- hFE Max
：
- fT Min (MHz)
：
- PTM Max (W)
：
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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