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KST5551中文资料KST5551: NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KST5551

参数属性

KST5551 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

功能描述

KST5551: NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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KST5551规格书详情

描述 Description

KST5551

特性 Features

集电极-发射极电压: VCEO= 160V
集电极损耗: PC(最大值)= 350mW 放大器晶体管

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KST5551属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KST5551晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KST5551

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    : 

  • Type

    : 

  • VCE(sat) Max (V)

    : 

  • IC Cont. (A)

    : 

  • VCEO Min (V)

    : 

  • hFE Min

    : 

  • hFE Max

    : 

  • fT Min (MHz)

    : 

  • PTM Max (W)

    : 

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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