KST2907A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
KST2907A |
| 参数属性 | KST2907A 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 |
| 功能描述 | KST2907A: PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | KST2907A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
KST2907A规格书详情
描述 Description
KST2907A
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KST2907A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的KST2907A晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：KST2907A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： PNP Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 500mA
- IC Cont. (A)
：0.6
- VCEO Min (V)
：60
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：Condition: IC = 500mA
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：Condition: IC = 150mA
- hFE Max
：Condition: IC = 150mA
- fT Min (MHz)
：Condition: IC = 50mA
- PTM Max (W)
：0.35
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
SAMSUNG |
2016+ |
SOT23 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
原装 |
65790 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1948+ |
SOT23-3 |
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询价 | ||
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06+ |
SOT23 |
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23+ |
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询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
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2223+ |
SOT-23 |
26800 |
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询价 | ||
FSC |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
原装现货 |
询价 |
