KST5179数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
KST5179 |
参数属性 | KST5179 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3 |
功能描述 | RF Amplifier Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-17 23:01:00 |
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KST5179规格书详情
简介
KST5179属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的KST5179晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
KST5179MTF
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
900MHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
4.5dB @ 200MHz
- 增益:
15dB
- 功率 - 最大值:
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
480 |
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询价 | ||
SAMSUNG |
25+23+ |
SOT-23 |
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原厂 |
23+ |
SOT-23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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SAMSUNG |
24+ |
SOT-23 |
11450 |
新进库存/原装 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-23 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
SOT-23-3 |
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询价 | ||
SAMSUNG |
1923+ |
SOT-23 |
35689 |
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询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
SAMSUNG |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
07+ |
SOT23 |
647 |
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询价 |