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MMBT4401	文件：124.03 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT4401	文件：93.3 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPuposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4401	文件：461.1 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistorNPNSilicon SwitchingTransistorNPNSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT4401	文件：83.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •SurfaceMountSOT-23Package •Capableof350mWattsofPowerDissipation •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55ćto150ć •IC=600mA •Marking:2X/M4A •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT4401	文件：195.59 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT4403) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT4401	文件：29.52 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4401	文件：117.09 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,thePNPtransistorMMBT4403isrecommended. ♦ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewiththetypedesignation2N4401.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT4401	文件：52.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryPNPType:MMBT4403 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT4401	文件：213.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryPNPtypeavailable:MMBT4403. •Idealformediumpoweramplificationandswitching. APPLICATIONS •Generalpurposeapplication,switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT4401	文件：225.03 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

详细参数

型号：
KST4401MTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳庞田科技有限公司	KST4401MTFMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	2023+	SOT-23	11000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	KST4401MTF贴片三极管	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	KST4401MTF贴片三极管	FAIRCHILD/仙童	24+	SOT-23	60000	全新原装现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	KST4401S		2016+		5632	只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有	询价
深圳市一线半导体有限公司	KST4401TF	SAMSUNG	24+	SOT-23	9000	新进库存/原装	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	KST4401TF	SAMSANG	19+	SOT23	256800	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市近平电子有限公司	KST4401TF		6000	面议	19	DIP/SMD	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	KST4401TF	SAMSUNG	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多KST4401MTF_Q供应商更新时间2024-4-11 18:15:00

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