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KSP63BU_Q

KSP63BU_Q

KSP63BU_Q

详细参数

  • 型号:

    KSP63BU_Q

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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更多KSP63BU_Q供应商 更新时间2024-5-29 17:27:00