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NJ2N60D-LI	文件：908.3 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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NJ2N60D-TR	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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PHB2N60E	文件：94.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP2N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB2N60E	文件：344.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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