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KSH112中文资料KSH112: NPN Silicon Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

KSH112

参数属性

KSH112 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

功能描述

KSH112: NPN Silicon Darlington Transistor
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-13 16:25:00

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KSH112规格书详情

描述 Description

KSH112

特性 Features

高DC电流增益
在E-C处内置一个阻尼二极管
为表面贴装应用提供的引线(无后缀)
直引脚(I-PAK,\"-I\"后缀)
电气上类似于流行的表面贴装TIP112D-PAK

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSH112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSH112晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSH112

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Silicon Darlington Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 4A

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 4A

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC = 2A

  • hFE Min

    :Condition: IC = 2A

  • hFE Max

    :Condition: IC = 2A

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 0.75A

  • PTM Max (W)

    :20

  • Package Type

    :DPAK-3

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