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KSH112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

KSH112

参数属性

KSH112 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

331.44 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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KSH112规格书详情

DESCRIPTION

• High DC current gain

• Built-in a damper diode at E-C

• Electrically similar to popular TIP112

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

产品属性

  • 产品编号:

    KSH112GTM_NB82051

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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