KSE801分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
KSE801 |
| 参数属性 | KSE801 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
73.13 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | FAIRCHILD |
| 中文名称 | 仙童半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 20:00:00 |
| 人工找货 | KSE801价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
KSE801三极管、KSE801晶体管、KSE801晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
MJE801,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
40
KSE801规格书详情
Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors
• High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC
• Complement to KSE700/701/702/703
产品属性
- 产品编号：
KSE801STU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.8V @ 40mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-126-3 |
7786 |
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询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
22+ |
TO-126 |
100000 |
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三星 |
97+ |
TO-126 |
4553 |
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23+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
20+PB |
TO-126 |
20000 |
20+PB |
询价 | ||
三星 |
22+ |
TO-126 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
三星 |
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ON Semiconductor |
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