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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-126-3

18798

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-126

2260

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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-126-3

18798

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深圳市纳立科技有限公司

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1983

三年内

只做原装正品

深圳市星宇佳科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220

55000

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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UTGTO-126

13000

23+

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市明嘉莱科技有限公司

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SSNA

880000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市欧立现代科技有限公司

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KECTO-3P

6980

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原装现货,可开13%税票

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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KECTO-3P

2987

25+

绝对全新原装现货供应!

深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美TO-220-3

78800

24+25+/26+27+

1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美TO-126

78800

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深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美TO-126

36218

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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

上海金庆电子技术有限公司

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FAIRCHILDTO-126F

482

2012+

全新 发货1-2天

深圳市东来宝电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220

22055

24+

郑重承诺只做原装进口现货

深圳市恒创达实业有限公司

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FSCTO-220

6200

17+

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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FSCSOP8

86720

26+

全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-126-3

18746

25+

样件支持,可原厂排单订货!

深圳市一线半导体有限公司

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FAIRCHILDTO-220

8866

24+

深圳市威尔健半导体有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-126F

130

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京海半导体(深圳)有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-126F

10000

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原装现货假一罚十

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KSD73Y功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD73YTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD73YTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD794制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier

KSD794AYS功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD794AYSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

KSD794YSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2