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KSD569中文资料PDF规格书

KSD569
厂商型号

KSD569

参数属性

KSD569 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 7A TO220-3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

文件大小

143.69 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-12 23:00:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSD569

  • 别名:

    KSD569三极管、KSD569晶体管、KSD569晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD569,2SD1358,2SD1363,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-92

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    40

KSD569规格书详情

DESCRIPTION

• High Collector Current:: IC= 7A

• Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@IC= 5A

• Complement to Type KSB708

APPLICATIONS

• Designed for low-frequency power amplifiers and low-speed switching applications.

产品属性

  • 产品编号:

    KSD569RTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 3A,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 7A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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