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KSD227中文资料PDF规格书

KSD227
厂商型号

KSD227

参数属性

KSD227 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3

功能描述

Low Frequency Power Amplifier

文件大小

40.01 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSD227

  • 别名:

    KSD227三极管、KSD227晶体管、KSD227晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    .3

  • wtest:

    0

KSD227规格书详情

Low Frequency Power Amplifier

• Complement to KSA642

• Collector Power Dissipation : PC=400mW

产品属性

  • 产品编号:

    KSD227YBU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 30mA,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 50mA,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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