首页>KSD2012GTU>详情

KSD2012GTU 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
KSD2012GTU
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
30000
产品封装：
TO-220F-3
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-4 13:55:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：KSD2012GTU品牌：ON/安森美

原装正品公司现货,假一赔十!

KSD2012GTU是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-220F-3/TO-220-3 整包的KSD2012GTU晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
KSD2012GTU
规格书：
下载下载2
企业简称：
FAIRCHILD【仙童半导体】详情
厂商全称：
Fairchild Semiconductor
中文名称：
飞兆半导体公司
内容页数：
4 页
文件大小：
61.55 kb
资料说明：
Low Frequency Power Amplifier

产品属性

类型
描述
产品编号：
KSD2012GTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 500mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3
描述：
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3

供应商

企业：
深圳市富利微电子科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
肖先生/朱小姐
手机：
15817200827
询价：
电话：
19169952826/15817200827
传真：
19169952826
地址：
深圳市福田区华强北路赛格广场4501A室

KSD2012GTU 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

KSD2012GTU

产品属性

供应商

相关型号

相近型号