首页>KSC1009>规格书详情

KSC1009中文资料NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

KSC1009

参数属性

KSC1009 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 140V 0.7A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-25 23:01:00

人工找货

KSC1009价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

KSC1009规格书详情

特性 Features

•高集电极-基极电压: VC=160V
•集电极电流: I C =700mA
•集电极损耗: PC =800mW
•KSA709的补充器件
•后缀“-C”表示中心集电极(1. 发射极 2. 集电极 3. 基极)高电压放大器

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSC1009属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSC1009晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSC1009

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 200mA

  • IC Cont. (A)

    :0.7

  • VCEO Min (V)

    :140

  • VCBO (V)

    :160

  • VEBO (V)

    :8

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 200mA

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 50mA

  • hFE Max

    :Condition: IC = 50mA

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 50mA

  • PTM Max (W)

    :0.8

  • Package Type

    :TO-92-3 LF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
5250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
FSC
2016+
TO-92
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
FSC
23+
KSC1009YTA
13528
振宏微原装正品,假一罚百
询价
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
询价
FAIRCHILD/仙童
20
原装现货支持BOM配单服务
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
SAMSUNG/三星
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
FSC
24+
TO-92
35200
一级代理分销/放心采购
询价