KSC1008数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
KSC1008 |
参数属性 | KSC1008 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 |
功能描述 | NPN外延硅晶体管 |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 10:34:00 |
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KSC1008规格书详情
特性 Features
•低频放大器中速开关
•高集电极-基极电压: VCBO = 80V
•集电极电流: IC =700mA
•集电极功耗: PC=800mW
•后缀“-C”表示中心集电极(1. 发射极 2. 集电极 3. 基极)
•没有后缀“-C”表示侧边集电极(1. 发射极 2. 基极 3. 集电极)
•KSA708的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
KSC1008属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSC1008晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:KSC1008
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.4
- IC Cont. (A)
:0.7
- VCEO Min (V)
:60
- VCBO (V)
:80
- VEBO (V)
:8
- VBE(sat) (V)
:1.1
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:120
- hFE Max
:240
- fT Min (MHz)
:30
- PTM Max (W)
:0.8
- Package Type
:TO-92-3
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