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LMV834MT	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	OperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMV834MT/NOPB	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	OperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV834MTNOPB	文件：900.7 Kbytes Page：25 Pages	LMV831Single/LMV832Dual/LMV834Quad3.3MHzLowPowerCMOS,EMIHardened	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV834MTSLASHNOPB	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	OperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV834MTX	文件：1.04694 Mbytes Page：20 Pages	3MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
KSB834W
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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