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KTC811	文件：78.1 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. •Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. •HighpairingpropertyinhFE. •ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC811	文件：78.83 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. •Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. •HighpairingpropertyinhFE. •ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC811E	文件：78.1 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. •Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. •HighpairingpropertyinhFE. •ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC811T	文件：51.95 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ExcellenthFELinearity :hFE(2)=25(Min.)atVCE=6V,IC=400mA. •ComplementarytoKTA711T.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC811U	文件：78.83 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. •Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. •HighpairingpropertyinhFE. •ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L811F	文件：389.61 Kbytes Page：1 Pages	OPTOELECTRONICSDETECTORS-PROGRAMMABLEUNIJUNCTIONTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
L811G	文件：389.61 Kbytes Page：1 Pages	OPTOELECTRONICSDETECTORS-PROGRAMMABLEUNIJUNCTIONTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
L811HW	文件：581.34 Kbytes Page：10 Pages	HIGHCURRENTMOLDEDPOWERINDUCTORS	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司	SUPERWORLD
LPV811	文件：251.16 Kbytes Page：12 Pages	NanopowerOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPV811DBVR	文件：251.16 Kbytes Page：12 Pages	NanopowerOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
KSB811OTA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多KSB811OTA_Q供应商更新时间2025-6-6 11:03:00

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