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KSB546数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

KSB546

参数属性

KSB546 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 2A TO220-3

功能描述

PNP外延硅晶体管
TRANS PNP 150V 2A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 15:24:00

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KSB546规格书详情

特性 Features

•集电极-基极电压:VCBO= -200 V
•集电极电流:IC= -2 A
•集电极损耗:PC= 2 5W (TC=25°C)
•KSD401TV 的补充器件TV 垂直偏转输出
•TV Vertical Deflection Output

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

KSB546属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的KSB546晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :KSB546

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :150

  • VCBO (V)

    :200

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :120

  • hFE Max

    :240

  • fT Min (MHz)

    :5

  • PTM Max (W)

    :2

  • Package Type

    :TO-220-3

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