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KSB1366G

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 3A TO220F-3

ONSEMI

安森美半导体

KSB1366GTU

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

文件:55.56 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KSB1366GTU

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 3A TO220F-3

ONSEMI

安森美半导体

KTB1366

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. • Collector Power Dissipation : PC=25W (Tc=25ᴱ) • Complementary to KTD2058.

文件:295.64 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KTB1366

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Collector Saturation Voltage ● Complementary to KTD2058

文件:569.91 Kbytes 页数:2 Pages

JIANGSU

长电科技

KTB1366

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Collector Power Dissipation- : PC= 25 W@ TC= 25℃ • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)@ (IC= -2A, IB= -0.2A) • Complement to Type KTD2058 APPLICATIONS • Designed for general purpose ap

文件:150.31 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

产品属性

  • 产品编号:

    KSB1366G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    9MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 3A TO220F-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多KSB1366G供应商 更新时间2025-10-9 16:53:00