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KSA1381ESTSSTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 300V 0.1A TO126-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
KSA1381ESTU	文件：158.69 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage : VCEO= -300V • Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 2.3pF at VCB = -30V • Excellent Gain Linearity for low THD • High Frequency: 150MHz • Full thermal and electrical Spice models are available • Complement to 2SC3503/KSC3503 Applications • Audio, Voltage Amplifi 文件：158.69 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSA1381FSTU	文件：158.69 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Voltage : VCEO= -300V • Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 2.3pF at VCB = -30V • Excellent Gain Linearity for low THD • High Frequency: 150MHz • Full thermal and electrical Spice models are available • Complement to 2SC3503/KSC3503 Applications • Audio, Voltage Amplifi 文件：158.69 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
KSC1381	文件：251.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 80V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): 0.5V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS · Audio Amplifiers · Drivers Utilizing Complementary or Quasi Complementary Circuits 文件：251.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
KSA1381ESTSSTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，10V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126-3
描述：
TRANS PNP 300V 0.1A TO126-3

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