丝印：KI；Package：X2SON；500-mA, Low IQ, Small Size, Low Dropout Regulator

文件：1.10866 Mbytes 页数：30 Pages

TI

德州仪器

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=5.0A VDS=20V,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V,ID=4.0A VDS=20V,,RDS(ON)=75m @VGS=1.8V,ID=1.0A

文件：48.35 Kbytes 页数：2 Pages

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科信电子

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-20V ● RDS(ON)

文件：50.22 Kbytes 页数：2 Pages

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科信电子

丝印：A2SHB；Package：SOT-23；N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

■ Features ● VDS=20V ● RDS(on)= 85mΩ@VGS=4.5V ,ID=3.6A ● RDS(on)= 115mΩ@VGS=2.5V ,ID=3.1A

文件：45.45 Kbytes 页数：2 Pages

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科信电子

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS=20V ● RDS(on)= 85mΩ@VGS=4.5V ,ID=3.6A ● RDS(on)= 115mΩ@VGS=2.5V ,ID=3.1A ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

文件：1.11453 Mbytes 页数：4 Pages

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科信电子

P-Channel, 30-V (G-S) MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-30V ● RDS(ON)

文件：53.01 Kbytes 页数：2 Pages

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科信电子

N-Channel Enhancement MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 30V ● RDS(ON)

文件：1.5437 Mbytes 页数：4 Pages

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科信电子

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 30V ● RDS(ON)

文件：49.86 Kbytes 页数：2 Pages

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科信电子

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 30V ● RDS(ON)

文件：1.53304 Mbytes 页数：4 Pages

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科信电子

P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) Mosfet

■ Features ● VDS (V) = -8V ● RDS(ON)

文件：49.08 Kbytes 页数：2 Pages

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