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KHB4D0N80F1

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=4A •Drain-So

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KHB4D0N80F1

Power MOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    KHB4D0N80F1

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多KHB4D0N80F1供应商 更新时间2024-5-15 9:01:00