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KHB4D0N80F1中文资料KEC数据手册PDF规格书

KHB4D0N80F1
厂商型号

KHB4D0N80F1

功能描述

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

504.61 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 KEC CORPORATION
企业简称

KEC

中文名称

KEC株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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KHB4D0N80F1规格书详情

General Description

This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switch mode power supplies.

FEATURES

• VDSS=800V, ID=4A

• Drain-Source ON Resistance

: RDS(ON)=3.6 Ω @VGS = 10V

• Qg(typ.)=25nC

产品属性

  • 型号:

    KHB4D0N80F1

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KEC
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