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MS5N50-A	文件：406.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF5N50	文件：929.83 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSQ5N50	文件：411.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSU5N50	文件：628.89 Kbytes Page：6 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN5N50BFP	文件：460.78 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN5N50BFP	文件：979.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
MTN5N50FP	文件：364.61 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PHX5N50E	文件：24.88 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP8N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PHX5N50E	文件：318.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多KF5N50DZ-RTF/P供应商更新时间2025-7-29 16:36:00

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