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KDR322	文件：66.28 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING. FEATURES • Low Forward Voltage : VF=0.54V (Typ.). • Low Reverse Current : IR=5μA (Max.). • Small Package : USM. 文件：66.28 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KDR322	文件：21.3 Kbytes Page：1 Pages	USM PACKAGE 文件：21.3 Kbytes 页数：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KDR322	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diode	KEC 开益禧	KEC
KDR322_08	文件：21.3 Kbytes Page：1 Pages	USM PACKAGE 文件：21.3 Kbytes 页数：1 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KDR322_15	文件：351.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE 文件：351.89 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

更多KDR322供应商更新时间2026-4-19 11:09:00