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MRF857S	文件：102.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconRFPowerTransistor TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF857S	文件：174.2 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor Designedfor24VoltUHFlarge–signal,commonemitter,classAlinearamplifierapplicationsinindustrialandcommercialequipmentoperatingintherangeof800–960MHz. •SpecifiedforVCE=24Vdc,IC=0.3AdcCharacteristics OutputPower=2.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR857	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR857	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MX857	文件：189.14 Kbytes Page：7 Pages	SingleDriverforGaAsFETSwitchesandAttenuators	Clare Clare, Inc.	Clare
MZ857	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE857	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
NTE857M	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
NTE857SM	文件：28.14 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLow-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE857MandNTE857SMarelow–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlowinputof	NTE NTE Electronics	NTE
OPA857	文件：1.90876 Mbytes Page：29 Pages	Ultralow-Noise,Wideband,SelectableFeedbackResistanceTransimpedanceAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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详细参数

型号：
KC857T
制造商：
KEXIN
制造商全称：
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
功能描述：
PNP General Purpose Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	KC857T	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市利加科技有限公司	KC8801	KC	16+	TSSOP16	7200	全新原装现货	询价
深圳市正迈科技有限公司	KC8801	KC	23+	NA	24587	专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品	询价
深圳市正纳电子有限公司	KC8801	KC	ROHS+Original	NA	24587	专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	KC8801	KC	21+	TSSOP16	7195	原装现货假一赔十	询价
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更多KC857T供应商更新时间2025-7-12 9:03:00

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