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BR358	文件：43.49 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：35.0A FEATURES ·PlasticcasewithheatsinkforMaximumHeatDissipation ·Surgeoverloadratings-400Amperes ·Lowforwardvoltagedrop	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
BR358L	文件：93.41 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Plasticcasewithheatsinkforheatdissipation ●Surgeoverload-240~400Amperespeak ●TheplasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BR358L	文件：37.16 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR358L	文件：186.22 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-35Amperes FEATURES Surgeoverloadratings-400Amperes PlasticcasewithheatsinkforMaximumHeatDissipation DiffusedJunction Lowforwardvoltagedrop *	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BR358L	文件：398.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
BR358W	文件：144.52 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BR358W	文件：235.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BR358W	文件：551.18 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-35Amperes FEATURES Surgeoverloadratings-400Amperes PlasticcasewithheatsinkforMaximumHeatDissipation *Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BR358W	文件：102.26 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT35Amperes FEATURES lLowcost lThisseriesisULrecognizedundercomponentindex,filenumberE127707 lHighforwardsurgecurrentcapability lIntegrallymoldedheatsinkprovideverylowth	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BUZ358	文件：68.26 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ358	文件：348.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYM358DX	文件：54.11 Kbytes Page：7 Pages	Damper-Modulatorfast,high-voltage GENERALDESCRIPTION CombineddamperandmodulatordiodesinanisolatedplasticenvelopeforhorizontaldeflectioninPCmonitors. TheBYM358DXcontainsdiodeswithperformancecharacteristicsdesignedspecificallyforapplicationsfrom32kHzto120kHz TheBYM358DXseriesissuppliedinthecon	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BYM358X	文件：50.45 Kbytes Page：7 Pages	Damper-Modulatorfast,high-voltage GENERALDESCRIPTION CombineddamperandmodulatordiodesinanisolatedplasticenvelopeforhorizontaldeflectioninPCmonitors. TheBYM358Xcontainsdiodeswithperformancecharacteristicsdesignedspecificallyforapplicationsfrom32kHzto120kHzTheBYM358Xseriesissuppliedintheconven	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C358C	文件：74.77 Kbytes Page：12 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
KDV358	文件：349.94 Kbytes Page：1 Pages	USCPACKAGE VCOFORUHF/VHFBAND. FEATURES •GoodC-VLinearity. •LowSeriesResistance.:rS=0.4Ω(Max.) •SmallPackage:USC.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV358F	文件：50.47 Kbytes Page：1 Pages	TFSCPACKAGE VCOFORUHF/VHFBAND. FEATURES •GoodC-VLinearity. •LowSeriesResistance.:rS=0.4Ω(Max.) •SmallPackage:TFSC.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA358F	文件：88.3 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALOPERATIONALAMPLIFIER) •IntheLinearModetheInputCommonModeVoltageRangeIncludesGround. •TwoInternallyCompensatedOPAmpsareinSinglePackage. •LowPowerDissipationandPowerDrainSuitableforBatteryOperation. •DifferentialInputVoltageRangeEqualtothePowerSupplyVoltage. •WidePow	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA358P	文件：88.3 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALOPERATIONALAMPLIFIER) •IntheLinearModetheInputCommonModeVoltageRangeIncludesGround. •TwoInternallyCompensatedOPAmpsareinSinglePackage. •LowPowerDissipationandPowerDrainSuitableforBatteryOperation. •DifferentialInputVoltageRangeEqualtothePowerSupplyVoltage. •WidePow	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KIA358P-F	文件：67.31 Kbytes Page：4 Pages	SEMICONDUCTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
KA358
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Op Amp 3-32V 2mA; 84dB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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