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K4X56163PI-LFESLASHGC6	文件：523.25 Kbytes Page：20 Pages	16Mx16 Mobile DDR SDRAM FEATURES • VDD/VDDQ = 1.8V/1.8V • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) - Burst Length ( 2, 4, 8, 16 文件：523.25 Kbytes 页数：20 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
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更多K4X56163PI-LFESLASHGC6供应商更新时间2026-9-30 11:10:00