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K4T51083QB-GCD5

512Mb B-die DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM The 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4banks, 16Mbit x 8 I/Os x 4 banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 533Mb/sec/pin (DDR2-533) for general applications. The chip

文件:591.22 Kbytes 页数:28 Pages

Samsung

三星

K4T51083QI

SAMSUNG
BGA

Samsung

三星

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K4T51083QJ-BCE7000

SAMSUNG/三星
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SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4T51083QN

SAMSUNG(三星半导体)
FBGA-60

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4T51083QN-BI

SAMSUNG(三星半导体)
FBGA-60

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

详细参数

  • 型号:

    K4T51083QB-GCD5

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    512Mb B-die DDR2 SDRAM

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更多K4T51083QB-GCD5供应商 更新时间2025-10-9 11:10:00