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K4T1G164QQ-HCLE6

1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC standard

文件:886.4 Kbytes 页数:44 Pages

Samsung

三星

K4T51083QI

BGA

Samsung

三星

上传:深圳市胜彬电子有限公司

K4T51083QJ-BCE7000

FBGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4T51083QN

FBGA-60

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4T51083QN-BI

FBGA-60

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

详细参数

  • 型号:

    K4T1G164QQ-HCLE6

  • 制造商:

    Samsung Semiconductor

  • 功能描述:

    1GSDDDRIIDDR SDRAMX16BOC - Trays

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更多K4T1G164QQ-HCLE6供应商 更新时间2025-10-24 16:24:00