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K4B4G0846B-MCF8中文资料三星数据手册PDF规格书

K4B4G0846B-MCF8
厂商型号

K4B4G0846B-MCF8

功能描述

DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

文件大小

1.0854 Mbytes

页面数量

59

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

SAMSUNG三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
SAMSUNG
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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K4B4G0846B-MCF8规格书详情

Key Features

• JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply

• VDDQ = 1.5V ± 0.075V

• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin,

667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin

• 8 Banks

• Posted CAS

• Programmable CAS Latency(posted CAS): 6, 7, 8, 9, 10

• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock

• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6

(DDR3-1066) and 7 (DDR3-1333)

• 8-bit pre-fetch

• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting

address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless

read or write [either On the fly using A12 or MRS]

• Bi-directional Differential Data-Strobe

• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin

(RZQ : 240 ohm ± 1)

• On Die Termination using ODT pin

• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at

85°C < TCASE < 95 °C

• Asynchronous Reset

• Package : 78 balls FBGA - x4/x8

• All of Lead-Free products are compliant for RoHS

• All of products are Halogen-free

产品属性

  • 型号:

    K4B4G0846B-MCF8

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification

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