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K4B4G0446B	文件：1.0854 Mbytes Page：59 Pages	DDP4GbB-dieDDR3SDRAMSpecification KeyFeatures •JEDECstandard1.5V±0.075VPowerSupply •VDDQ=1.5V±0.075V •400MHzfCKfor800Mb/sec/pin,533MHzfCKfor1066Mb/sec/pin, 667MHzfCKfor1333Mb/sec/pin •8Banks •PostedCAS •ProgrammableCASLatency(postedCAS):6,7,8,9,10 •ProgrammableAdditiveLatency:0,	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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K4B4G0446Q-HC	文件：4.63909 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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