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K4B2G0846D-HYK0

2Gb D-die DDR3L SDRAM

The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3

文件:1.74964 Mbytes 页数:64 Pages

Samsung

三星

K4B2G0846F-BCMA

三星
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三星

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SAMSUNG(三星半导体)

详细参数

  • 型号:

    K4B2G0846D-HYK0

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    2Gb D-die DDR3L SDRAM

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更多K4B2G0846D-HYK0供应商 更新时间2025-10-5 17:06:00