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K4B2G0846D-HYK0中文资料三星数据手册PDF规格书

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厂商型号

K4B2G0846D-HYK0

功能描述

2Gb D-die DDR3L SDRAM

文件大小

1.74964 Mbytes

页面数量

64

生产厂商

Samsung

中文名称

三星

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 14:19:00

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K4B2G0846D-HYK0规格书详情

The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .

产品属性

  • 型号:

    K4B2G0846D-HYK0

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    2Gb D-die DDR3L SDRAM

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SAMSUNG
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