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K4B2G0846D-HYK0规格书详情
The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .
产品属性
- 型号:
K4B2G0846D-HYK0
- 制造商:
SAMSUNG
- 制造商全称:
Samsung semiconductor
- 功能描述:
2Gb D-die DDR3L SDRAM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG |
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SAMSUNG/三星 |
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