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K3638数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

K3638

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:12:00

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K3638规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The 2SK3638 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)
RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)
• Low Ciss: Ciss = 1100 pF TYP.
• Built-in gate protection diode

特性 Features

• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)
RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)
• Low Ciss: Ciss = 1100 pF TYP.
• Built-in gate protection diode

技术参数

  • 型号:

    K3638

  • 制造商:

    Siemens

  • 功能描述:

    8 Gang Moulded Graphite Frontplate

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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