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K3235中文资料Silicon N Channel MOS FET / High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书

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厂商型号

K3235

功能描述

Silicon N Channel MOS FET / High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨

数据手册

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更新时间

2026-10-13 22:58:00

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K3235规格书详情

描述 Description

•  Low on-resistance: RDS(on)= 0.3 Ωtyp.
•  Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V)
•  High speed switching: tf = 50 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 7.5 A)
•  Low gate charge: Qg = 48 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 15 A)
•  Avalanche ratings

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