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厂商型号

K2613

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSIII)

文件大小

232.93 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

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数据手册

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更新时间

2026-1-23 16:45:00

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K2613规格书详情

Switching Regulator Applications, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.4 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 6.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 800 V)

• Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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