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K1117	文件：65.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor (MOS II.I) high-speed, high-current switching ○ For switching regulators . Low on-resistance. : RDS (ON)=0.95Ω (typical) High forward transmission admittance. \| Y's\|=4.0S (Standard) Ipss=300A (max) (VDs=600V) Low leakage current. Easy to handle, enhancement type. : Vth=1.5~3.5V(Vps=10V, Ip=1mA) 文件：65.09 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
K1117	文件：300 bytes Page：1 Pages	2SK1117, K1117 / V dss = 600V	Toshiba 东芝	Toshiba
KIA1117BF	文件：939.1 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT 文件：939.1 Kbytes 页数：5 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KIA1117BS	文件：946.44 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT 文件：946.44 Kbytes 页数：5 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
KIA1117BS	文件：939.1 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT 文件：939.1 Kbytes 页数：5 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

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