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K1117中文资料PDF规格书

K1117
厂商型号

K1117

功能描述

Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor (MOS II.I)

文件大小

65.09 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 22:30:00

K1117规格书详情

high-speed, high-current switching

○ For switching regulators

.

Low on-resistance. : RDS (ON)=0.95Ω (typical)

High forward transmission admittance.

| Y's|=4.0S (Standard)

Ipss=300A (max) (VDs=600V)

Low leakage current.

Easy to handle, enhancement type.

: Vth=1.5~3.5V(Vps=10V, Ip=1mA)

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