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SF10A60	文件：54.09 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SF10A60F	文件：54.3 Kbytes Page：6 Pages	SuperFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SR10A60F-G	文件：51.48 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
SR10A60-G	文件：51.46 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
SUN10A60F	文件：476.83 Kbytes Page：8 Pages	NewGenerationN-ChPowerMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SUN10A60FD	文件：476.39 Kbytes Page：8 Pages	NewGenerationN-ChPowerMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
T10A60L	文件：155.43 Kbytes Page：4 Pages	10AmpSiliconRectifiers Features •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highforwardsurgecurrentcapability •Highreliability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds /.375(9.5mm)leadlength,5lbs(2.3kg)tension •RoHScompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TCU10A60	文件：52.09 Kbytes Page：5 Pages	FRD-ForPowerFactorImprovementHighFrequencyRectification FEATURES DualDiodes–CathodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
TK10A60D	文件：319.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK10A60D	文件：319.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.72Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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深圳市锦喆鸿电子有限公司	K10A60D	TOSHIBA	21+	TO220F	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
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